Документация создана сканированием данных на транзисторы из справочников, что-то из интернета.
В таблице справа приведено наименование транзистора, аналог
(если известен), ссылка на PDF файл , тип проводимости
и основные характеристики транзистора: максимальный ток , максимальное
допустимое напряжение сток-исток, минимальное сопротивление канала. Подробные параметры и графики содержатся в pdf
файле.
Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики
Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на
основе p-n перехода
Полевой транзистор КП802 с затвором на основе p-n
перехода
Полевой транзистор КП804, применение, аналоги
МДП транзистор КП805, параметры, характеристики
МДП транзистор КП809, параметры, аналог
Полевой транзистор КП810, описание, аналог
Полевой транзистор КП812, область применения, аналог
Мощный полевой транзистор КП813, типовое применение, характеристики
Полевые транзисторы , по сравнению с биполярными обладают следующими
достоинствами:
-малая мощность в цепи управления (по сути, она затрачивается лишь на заряд
суммарной емкости затвора)
-высокие скорости переключения (при правильном выборе схемы управления
транзистором)
-отсутствие вторичного пробоя
К основным недостаткам можно отнести:
- типичная взаимосвязь между максимальным допустимым напряжением полевого
транзистора и сопротивлением его канала, т.е., при выборе высоковольтного
транзистора нужно быть готовым к тому, что потери проводимости будут
значительными
- неприятная связь между сопротивлением открытого MOSFET
транзистора и его температурой, типично при 150 градусах на кристалле
сопротивление (и потери проводимости соответственно) будут в два с лишним раза
больше, чем при 25 градусах. Сопротивление же обычно указывают именно при
нормальных условиях
Внимание! Для транзисторов с несколькими модификациями
(несколько букв, например КП707А, КП707Б, КП707В) в таблице приведены
наилучшие значения параметров из всего семейства, и для конкретного прибора
какой-то параметр может быть хуже - смотрите PDF.